2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsiz.
IPB123N10N3G (123N10N) TO-263 N-Kanal 58A 100V Mosfet Transistör

Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.

IPB123N10N3G (123N10N) TO-263 N-Kanal 58A 100V Mosfet Transistör

IPB123N10N3G

Üretici
Infineon
Kılıf / Paket

IPB123N10N3G (123N10N) TO-263 N-Kanal 58A 100V Mosfet Transistör Hakkında

IPB123N10N3G (123N10N) TO-263 N-Kanal 58A 100V Mosfet Transistör
Transistör | Tip MOSFET
Vds - Drain-Source Voltajı 100V
Rds On - Drain-Source Direnci 0.0123Ohm
Id Drain Akımı 58A
Mosfet | Kanal Tipi N-Kanal
Pd | Güç Dağılımı 94W
Vgs - Gate-Source Voltajı 20V
Tj - Bağlantı Sıcaklığı Aralığı 175°C
tr - Yükselme Süresi 8nS
Output Capacitance 330pF

IPB123N10N3G (123N10N) TO-263 N-Kanal 58A 100V Mosfet Transistör

166,68 ₺ KDV dahil