Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
IPB019N08N3G (019N08N) 80V 180A TO-263-7 Mosfet Hakkında
IPB019N08N3G (019N08N) TO-263-7 MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
| Kılıf | TO-263-7 |
|---|---|
| Montaj Tipi | Surface Mount ( SMD ) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Üretici Paket/Kılıf | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Product Category | Transistors - FETs |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
| D²Pak (6 Leads + Tab) | 1 |
| MOSFETs - Single | 1 |
| Min Rds On) | 6V |