Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
Infineon BSP170PH6327XTSA1 P-Kanal 60V 1.9A MOSFET Entegre Devre
BSP170PH6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Aile / Seri
- BSP170PH
Infineon BSP170PH6327XTSA1 P-Kanal 60V 1.9A MOSFET Entegre Devre Hakkında
BSP170PH6327XTSA1, Infineon üretimi P-kanal MOSFET’tir; 60 V Vdss ve 25°C’de 1.9 A sürekli drenç akımı değerine sahiptir. PG-SOT223-4 (TO-261-4) SMD pakettedir, Rds(on) maks. 300 mOhm (@1.9A, Vgs=10V) ve Vgs maks. ±20 V özellikleriyle kullanılır. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C (TJ) arasındadır.
BSP170PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
| Ürün Kodu | BSP170PH6327XTSA1 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
İlgili Ürünler
