Görsel mevcut değil
IKZ50N65EH5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
IKZ50N65EH5XKSA1 Hakkında
IKZ50N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/50A IGBT transistörüdür. Trench tipi yapısı ile tasarlanan bu bileşen, Collector akımı maksimum 85A (darbe 200A) kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 through-hole paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C arasında stabil çalışmaktadır. 273W maksimum güç disipasyonu, 109nC gate charge ve düşük geçiş gecikme süreleri (on: 20ns, off: 250ns) ile endüstriyel motorlar, solar inverterleri, UPS sistemleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V'dir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
109 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
273 W
Reverse Recovery Time (trr)
53 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
410µJ (on), 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/250ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V