Görsel mevcut değil
IKY50N120CH3XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 100A TO247-4
IKY50N120CH3XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKY50N120CH3XKSA1, 1200V Collector-Emitter gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-4 paket ile monte edilen bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 652W maksimum güç dağılımı, 235nC gate yükü ve 32ns açılış / 296ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, invertörler, kaynak cihazları ve elektrik motor sürücüleri gibi yüksek güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
235 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
652 W
Reverse Recovery Time (trr)
255 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
32ns/296ns
Test Condition
600V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V