Görsel mevcut değil
IKW75N65RH5XKSA1
IKW75N65RH5XKSA1 Hakkında
IKW75N65RH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 650V desen-emitter bozulma gerilimi ve 80A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama enerjisinin 360µJ (açılış) ve 300µJ (kapanış) olması sayesinde verimli ve hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Inverter, motor sürücüsü ve kaynak makinası gibi yüksek güç endüstriyel sistemlerde tercih edilir. 395W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile zorlu uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
168 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
360µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/180ns
Test Condition
400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V