Görsel mevcut değil
IKW75N65EH5XKSA1
IKW75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKW75N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/90A IGBT transistördür. Trench teknolojisine dayalı bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum collector akımı 90A, pulsed akımı ise 300A'dır. Gate charge değeri 160nC olup, vce(on) 2.1V @ 15V, 75A'da ölçülmüştür. Switching energy değerleri 2.3mJ (on) ve 900µJ (off) şeklindedir. Ters recovery süresi 92ns'dir. İşletme sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Maksimum güç çıkışı 395W'tır. Bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, inverterler, servo sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Aktif durumda olan bu bileşen yüksek frekanslı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
160 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
2.3mJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/174ns
Test Condition
400V, 75A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V