Görsel mevcut değil
IKW50N65RH5XKSA1
IKW50N65RH5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IKW50N65RH5XKSA1, 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A sürekli kollektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 305W maksimum güç yönetimi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 120nC gate charge ve 22ns açılış/180ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar. IGBT Type Trench Field Stop teknolojisinin kullanılması, düşük ön kapanış kaybı ve stabil sıcaklık karakteristiği sağlar. Endüstriyel motor kontrolü, güç dönüştürücüler, kaynak makinaları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
305 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
230µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/180ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V