Görsel mevcut değil
IKW50N65H5FKSA1
IKW50N65H5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65H5FKSA1, 650V kolektör-emitter breakdown voltajında çalışan bir IGBT transistördür. 80A maksimum kolektör akımı ve 305W maksimum güç yönetim kapasitesiyle, endüstriyel motorlar, inverterler, şarj cihazları ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.1V Vce(on) değeri ile düşük açık devre kaybı sağlar. 120nC gate charge ve hızlı anahtarlama enerjileri (on: 520µJ, off: 180µJ) ile enerji verimliliği yüksektir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 57ns reverse recovery time ile güvenli komütasyon özelliği taşır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
305 W
Reverse Recovery Time (trr)
57 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
520µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/180ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V