Görsel mevcut değil
IKW50N65F5FKSA1
IKW50N65F5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65F5FKSA1, 650V collector-emitter breakdown voltajında çalışan güç IGBT transistörüdür. 80A maksimum DC collector akımı ve 150A pulslu akım kapasitesine sahip bu bileşen, 305W güç seviyesinde tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlarken, 52ns reverse recovery time ve 490µJ açılış / 160µJ kapanış switching enerji değerleriyle verimli anahtarlama performansı sunar. 120nC gate charge ile kolay kontrol edilebilen bu bileşen, indüktif ve kapasitif yükler altında motor sürücüleri, inverterler, SMPS ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
305 W
Reverse Recovery Time (trr)
52 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/175ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V