Görsel mevcut değil
IKW50N65ES5XKSA1
IKW50N65ES5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65ES5XKSA1, 650V Trench tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80A sürekli ve 200A darbe kollektör akımı ile çalışır. 1.7V sabitlenmiş gerilim ve 120nC geçit yükü özelliği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 70ns ters kurtarma zamanı ve 1.23mJ açılma/550µJ kapanma anahtarlama enerjisi ile verimli işlem gerçekleştirir. 274W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
274 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
1.23mJ (on), 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/127ns
Test Condition
400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V