Görsel mevcut değil
IKW50N65EH5XKSA1
IKW50N65EH5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65EH5XKSA1, Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bir IGBT transistöründür. 650V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 80A maksimum kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile yüksek güç uygulamalarında montajı kolaylaştırır. 275W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sürücü devreleri, inverter, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde uygulanabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on: 25ns) sayesinde enerji verimli tasarımlara uyundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
275 W
Reverse Recovery Time (trr)
81 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/172ns
Test Condition
400V, 50A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V