Görsel mevcut değil
IKW40N65H5AXKSA1
IKW40N65H5AXKSA1 Hakkında
IKW40N65H5AXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V kollektör-emiter geriliminde çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 74A sürekli akım yeteneğine ve 120A darbe akımına sahip bu transistör, Trench teknolojisi kullanarak üretilmiştir. Maksimum 255W güç tüketebilen cihaz, -40°C ile 175°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışmaktadır. TO-247-3 paket tipi ile sunulan bileşen, elektrik motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, kaynak makinaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanmaktadır. 92nC kapı yükü ve düşük geçiş kaybı özellikleri sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Şu anda obsolete durumunda olan bu bileşen, miras sistemlerin bakım ve onarımında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
92 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
380µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/153ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V