Görsel mevcut değil
IKW40N65F5FKSA1
IKW40N65F5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW40N65F5FKSA1, 650V Collector-Emitter kırılma voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. Maksimum 74A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı ile çalışabilen bu bileşen, TO-247-3 through-hole paketlemesi ile sunulmaktadır. 255W maksimum güç yayma kapasitesi ve 2.1V Vce(on) değerleri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 95nC gate charge ve 19ns/160ns açılma/kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, endüstriyel şalterlerde ve enerji çevirici sistemlerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
360µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/160ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V