Görsel mevcut değil
IKW40N65ES5XKSA1
IKW40N65ES5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW40N65ES5XKSA1, 650V derecelendirilmiş Trench teknolojili IGBT transistörüdür. TO-247-3 paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 79A DC kollektör akımı ve 160A puls akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (95 nC) ve hızlı switching özelliği ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Hızlı on-off geçişleri (19ns/130ns) ile switching kayıpları minimize edilir. İnverter, motor sürücü ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilen bu transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 230W maksimum güç kapasitesi ve 1.7V Vce(on) değeri ile verimli uygulamalar sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
79 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
230 W
Reverse Recovery Time (trr)
73 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
860µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/130ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V