Görsel mevcut değil
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW30N65H5XKSA1, 650V Trench tabanlı IGBT transistördür. 55A maksimum kolektör akımı ve 90A puls akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 188W maksimum güç dağıtımı ve 70nC gate charge ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Enerji dönüşüm sistemleri, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
280µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/190ns
Test Condition
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
İlgili Ürünler
