Görsel mevcut değil
IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1 Hakkında
IKW30N65ET7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kollektör akımı ve 90A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve indüktif yüklerin anahtarlanmasında yaygın olarak uygulanır. 180nC gate charge ve 80ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 1.65V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı elde edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
180 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
590µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/245ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V