Görsel mevcut değil
IKW30N65EL5XKSA1
IKW30N65EL5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW30N65EL5XKSA1, 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A nominal kollektör akımı ile çalışan bir IGBT transistördür. Entegre hızlı diyot (Fast Diode) yapısı sayesinde reverse recovery time 100ns'dir. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Gate charge değeri 168nC olup, maksimum güç tüketimi 227W'dır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışır. DC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri, endüstriyel güç elektronik uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. Düşük Vce(on) değeri (1.35V @ 15V, 30A) ile enerji verimliliği sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
168 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
227 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
470µJ (on), 1.35mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
33ns/308ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.35V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V