Görsel mevcut değil
IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3FKSA1 Hakkında
IKW25N120H3FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 326W maksimum güç tüketimine ve 290ns geri kazanım süresine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, endüstriyel inverterler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve benzer yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. 115nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
115 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
326 W
Reverse Recovery Time (trr)
290 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
2.65mJ
Td (on/off) @ 25°C
27ns/277ns
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V