Görsel mevcut değil
IKW20N65ET7XKSA1
IKW20N65ET7XKSA1 Hakkında
IKW20N65ET7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 60A pulsed kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 128nC gate charge ve 70ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 1.65V Vce(on) değeriyle düşük yükseltme kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sistemleri, güç dönüştürücüleri ve invörter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
128 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
136 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
360µJ (on), 360µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/210ns
Test Condition
400V, 20A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V