IKQ50N120CT2XKSA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 100A TO247-3-46

IKQ50N120CT2XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IKQ50N120CT2XKSA1, 1200V breakdown voltajına ve 100A nominal collector akımına sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 652W maksimum güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. 235nC gate charge ve düşük switching energy değerleriyle (3.8mJ açılış, 3.3mJ kapanış) endüstriyel uygulamalarda verimli anahtarlama sağlar. 2.15V Vce(on) ile düşük iletim kaybı sunar. Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak cihazları ve endüstriyel güç sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 100 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A

Gate Charge 235 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 652 W

Supplier Device Package PG-TO247-3-46

Switching Energy 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 34ns/312ns

Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V