Görsel mevcut değil
IKP40N65H5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 74A 255W TO220-3
IKP40N65H5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IKP40N65H5XKSA1, 650V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip yüksek hızlı IGBT transistörüdür. 74A sürekli kolektör akımı (Ic) ve 120A pulse akımı (Icm) kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde üretilen bu komponent, 255W maksimum güç yönetimi sağlar. Düşük switching enerjisi (390µJ on, 120µJ off) ve 62ns reverse recovery time özelliği ile anahtarlama hızlığı önemli olan güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/165ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V