Görsel mevcut değil
IKP30N65H5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
IKP30N65H5XKSA1 Hakkında
IKP30N65H5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistörüdür. 55A sürekli kollektör akımı ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücü sistemlerinde ve AC/DC güç kaynakları tasarımında kullanılır. 188W maksimum güç yayma kapasitesi ile endüstriyel ve ticari seviyedeki uygulamalara uygundur. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 70nC gate charge ve düşük açılış/kapanış gecikmesi (19ns/177ns), yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
51 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
280µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/177ns
Test Condition
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V