Görsel mevcut değil
IKP10N60TXKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 20A 110W TO220-3
- Aile / Seri
- IKP10N60TXKSA1
IKP10N60TXKSA1 Hakkında
IKP10N60TXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 20A collector akımı ve 110W güç yönetimi kapasitesi sunar. TO-220-3 paket içinde sunulan transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.05V vce(on) değeri ve 62nC gate charge karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek reverse recovery time (115ns) ile daha düşük switching loss'ları gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
62 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
110 W
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
430µJ
Td (on/off) @ 25°C
12ns/215ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
