Görsel mevcut değil
IKP10N60TXKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 20A 110W TO220-3
IKP10N60TXKSA1 Hakkında
IKP10N60TXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 20A collector akımı ve 110W güç yönetimi kapasitesi sunar. TO-220-3 paket içinde sunulan transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.05V vce(on) değeri ve 62nC gate charge karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek reverse recovery time (115ns) ile daha düşük switching loss'ları gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
62 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
110 W
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
430µJ
Td (on/off) @ 25°C
12ns/215ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V