Görsel mevcut değil
IKP08N65H5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 18A TO220-3
IKP08N65H5XKSA1 Hakkında
IKP08N65H5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/18A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 70W maksimum güç yönetiminde çalışabilir. Vce(on) değeri 2.1V olup (15V gate voltajında, 8A kolektör akımında), düşük iletim kaybına sahiptir. 22nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine, 40ns ters kurtarma süresine ve düşük switching energy'ye (on: 70µJ, off: 30µJ) sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç denetimi, motor sürücüler, inverter devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
70 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-111
Switching Energy
70µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/115ns
Test Condition
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V