Görsel mevcut değil
IKP08N65F5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
IKP08N65F5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKP08N65F5XKSA1, 650V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip güç IGBT transistörüdür. 18A maksimum kolektör akımı ve 70W maksimum harcanan güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, invertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 22nC kapı yükü ve 10ns/116ns açılış/kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kararlı işlem yapabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
70 W
Reverse Recovery Time (trr)
41 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-111
Switching Energy
70µJ (on), 20µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
10ns/116ns
Test Condition
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V