Görsel mevcut değil
IKP01N120H2XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
IKP01N120H2XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKP01N120H2XKSA1, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistördür. Maksimum 3.2A kolektör akımı ve 28W güç dağıtma kapasitesiyle, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketine sahip bu bileşen, -40°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 8.6nC gate charge ve 140µJ switching energy değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. İnverter, DC-DC dönüştürücü ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Cihaz obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3.5 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
28 W
Reverse Recovery Time (trr)
83 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
140µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/370ns
Test Condition
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V