Görsel mevcut değil
IKN06N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
IKN06N60RC2ATMA1 Hakkında
IKN06N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. PG-SOT223-3 paketinde sunulan bu bileşen, ev aletleri ve endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması görevini üstlenir. Maksimum 8A sürekli kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.3V on-state voltajı (600V/6A) ile düşük iletim kaybı sağlar. 31nC gate charge ve 151µJ on-switching enerji değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynağı ve ışık kontrolü uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
31 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
7.2 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-SOT223-3
Switching Energy
151µJ (on), 104µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8.8ns/174ns
Test Condition
400V, 6A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V