Görsel mevcut değil
IKN04N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
IKN04N60RC2ATMA1 Hakkında
IKN04N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. TO-261-4 (PG-SOT223-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 7.5A collector akımı ve 12A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 24nC gate charge ve düşük switching loss karakteristiği (-40°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında) ile ev aletleri, ufak güç dönüştürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Vce(on) maksimum 2.3V @ 15V, 4A şartlarında ölçülmüş olup, 95µJ on-switching ve 62µJ off-switching enerjisi ile verimli tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
6.8 W
Reverse Recovery Time (trr)
39 ns
Supplier Device Package
PG-SOT223-3
Switching Energy
95µJ (on), 62µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/126ns
Test Condition
400V, 4A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V