Görsel mevcut değil
IKN03N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
IKN03N60RC2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKN03N60RC2ATMA1, 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 5.7A maksimum kollektör akımı ve 9A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. PG-SOT223-3 yüzey montajlı paketlemesinde sunulan bu bileşen, 18nC gate charge ve 62µJ (açılış) / 44µJ (kapanış) switching enerji değerlerine sahiptir. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 3A akımda 2.3V'dur. 38ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Ev aletleri ve benzer uygulamalarda güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5.7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9 A
Gate Charge
18 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-3
Part Status
Active
Power - Max
6.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
38 ns
Supplier Device Package
PG-SOT223-3-1
Switching Energy
62µJ (on), 44µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
7ns/77.5ns
Test Condition
400V, 3A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V