Görsel mevcut değil
IKN01N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
IKN01N60RC2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKN01N60RC2ATMA1, 600V Collector-Emitter Breakdown Voltajına sahip tek kanal IGBT transistörüdür. 2.2A maksimum Collector akımı ve 3A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. PG-SOT223-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.1W maksimum güç tüketimiyle enerji tasarrufu gerektiren uygulamalarda kullanılır. Reverse Recovery Time'ı 59.5ns ve hızlı switching enerji değerleri (on: 25.1µJ, off: 13.5µJ) ile ev aletleri, adaptörler ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate Charge değeri 9nC ile minimize edilmiş geçiş kayıpları sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3 A
Gate Charge
9 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
5.1 W
Reverse Recovery Time (trr)
59.5 ns
Supplier Device Package
PG-SOT223-3
Switching Energy
25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
5.6ns/80ns
Test Condition
400V, 1A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V