Görsel mevcut değil
IKFW75N65ES5XKSA1
IKFW75N65ES5XKSA1 Hakkında
IKFW75N65ES5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maximum 80A DC akımı ve 240A pulsed akımı ile çalışan bu komponent, 148W güç kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 1.7V Vce(on) değeri ve 144nC gate charge ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Reverse recovery süresi 71ns olan bu IGBT, şebeke invertörleri, motor kontrolü, kaynak makinaları ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüksek voltaj ve akım uygulamaları için tasarlanmış standart giriş konfigürasyonlu bu transistör, hızlı anahtarlama ve düşük kaybı ile bilinir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
144 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
148 W
Reverse Recovery Time (trr)
71 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
1.48mJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/152ns
Test Condition
400V, 60A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V