Görsel mevcut değil
IKFW75N65EH5XKSA1
IKFW75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKFW75N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 240A darbe akımı kapasitesiyle güçlü anahtarlama performansı sağlar. 2.1V on-state gerilimi ile düşük kayıplar sunur. Switching energy değerleri (1.8mJ on, 600µJ off) hızlı ve verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 148W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel sürücü, konvertör ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-247-3 kasa tipi ve Through Hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
144 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
148 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
1.8mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/206ns
Test Condition
400V, 60A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V