Görsel mevcut değil
IKFW50N65ES5XKSA1
IKFW50N65ES5XKSA1 Hakkında
IKFW50N65ES5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 74A maksimum kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 127W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, anahtarlanmış güç kaynakları ve invertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. 95nC gate charge ve düşük anahtarlama kayıpları (on: 860µJ, off: 400µJ) sayesinde verimli devre tasarımına olanak tanır. 1.7V Vce(on) değeri enerji kaybını minimize eder.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
127 W
Reverse Recovery Time (trr)
69 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
860µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/130ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V