Görsel mevcut değil
IKFW50N65EH5XKSA1
IKFW50N65EH5XKSA1 Hakkında
IKFW50N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 59A maksimum collector akımı ve 160A pulsed akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 124W maksimum güç yeteneğine sahip olan bu transistör, switching enerji değerleri (1.2mJ açılış, 400µJ kapanış) ile konverterler, inverterler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. TO-247-3 paketine sahip olan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 52ns reverse recovery time ile hızlı switching performansı sağlar. 15V gate voltajında 40A'de 2.1V Vce(on) değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
59 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
124 W
Reverse Recovery Time (trr)
52 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
1.2mJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/138ns
Test Condition
400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V