Görsel mevcut değil
IKFW40N65DH5XKSA1
IKFW40N65DH5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKFW40N65DH5XKSA1, 650V Trench Field Stop teknolojisine dayanan bir IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 53A sürekli ve 120A pulsed (anlık) collector akımı kapasitesine sahiptir. 106W maksimum güç dağıtma yeteneğine ve 2.25V on-state voltajına (15V gate voltajında, 40A'de) sahip olan cihaz, ev aletleri ve endüstriyel uygulamalarda güç dönüştürme işlevlerinde kullanılır. 64ns reverse recovery time ve 18ns/105ns açılma/kapanma gecikme süreleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlamayı kontrol eden gate devresine karşı düşük enerji gereksinimi (70nC gate charge) ile verimli devre tasarımına olanak tanır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
53 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
106 W
Reverse Recovery Time (trr)
64 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
1.17mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
400V, 40A, 14Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V