Görsel mevcut değil
IKD15N60RFATMA1
IKD15N60RFATMA1 Hakkında
IKD15N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 2.5V'luk düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 90nC gate charge ve hızlı anahtarlama özellikleri (Td(on) 13ns, Td(off) 160ns) ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Ters iyileştirme zamanı 74ns olan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, elektrik motor kontrolü ve DC-AC inverter uygulamalarında kullanılır. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
74 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
270µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/160ns
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V