Görsel mevcut değil
IKD15N60RAATMA1
IKD15N60RAATMA1 Hakkında
IKD15N60RAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A sürekli kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 250W güç dissipasyonu ile tasarlanan komponent, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürücü devrelerinde kullanılır. 16ns açılış ve 183ns kapanış gecikmesi sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük Vce(on) değeri (2.1V @ 15V, 15A) ile enerji verimliliği sağlar. NOT: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Td (on/off) @ 25°C
16ns/183ns
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V