Görsel mevcut değil
IKD10N60RFATMA1
IKD10N60RFATMA1 Hakkında
IKD10N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150W güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 64nC gate charge ile düşük sürüş kaynağı gereksinimi sağlar. Vce(on) maksimum 2.5V (15V, 10A koşullarında) ile ısıl kayıpları minimize eder. 72ns geri kazanım süresi ve hızlı anahtarlama özellikleri (on: 12ns, off: 168ns @ 25°C) ile endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, AC-DC konvertörleri ve güç elektronik devrelerinde uygulanır. -40°C ile +175°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
72 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
190µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/168ns
Test Condition
400V, 10A, 26Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V