Görsel mevcut değil
IKD10N60RFAATMA1
IKD10N60RFAATMA1 Hakkında
IKD10N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 150W güç dağıtma yeteneğine sahip olan transistör, 2.5V (15V gate geriliminde 10A kolektör akımında) düşük on-durumu gerilimini sağlar. Ön açılış süresi 12ns, kapanış süresi 168ns olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun switching energy değerlerine (on: 190µJ, off: 160µJ) sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, DC/DC dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
72 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
190µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/168ns
Test Condition
400V, 10A, 26Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V