Görsel mevcut değil
IKD10N60RC2ATMA1
IKD10N60RC2ATMA1 Hakkında
IKD10N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 18.8A (darbe akımı 30A) taşıma kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 79W maksimum güç ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolünde, LED sürücülerinde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük iletim kaybı (2.3V @ 10A) ve hızlı anahtarlama özellikleri (14ns on-time, 250ns off-time) ile enerji verimliliği sağlar. 48nC gate charge ve 320µJ on-switching enerji değerleri optimize edilmiş kontrol devrelerini mümkün kılar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18.8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
79 W
Reverse Recovery Time (trr)
104 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
320µJ (on), 170µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/250ns
Test Condition
400V, 10A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V