Görsel mevcut değil
IKD10N60RATMA1
IKD10N60RATMA1 Hakkında
IKD10N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15V gate sürüş voltajında 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 64nC gate şarj ve 14ns/192ns on/off gecikmesi sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. İnverter, motor kontrol, güç kaynağı ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
210µJ (on), 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/192ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V