Görsel mevcut değil
IKD10N60RAATMA2
IKD10N60RAATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKD10N60RAATMA2, 600V kollektör-emitör breakdown voltajı ile çalışan bir Trench IGBT transistördür. 20A maksimum kollektör akımı ve 150W güç kapasitesi ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, standart giriş tipinde kontrol gerektiren endüstriyel dönüştürücü, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, zorlu ortam koşullarında kullanım imkanı sağlar. 62ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur - Obsolete)
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Td (on/off) @ 25°C
14ns/192ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V