Görsel mevcut değil
IKD10N60R
IKD10N60R Hakkında
IKD10N60R, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketine sahip olan komponent, güç dönüştürme, motor kontrolü, kaynak makineleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 150W maksimum güç kapasitesi ile çalışan transistör, 2.1V Vce(on) değeri ve 62ns ters kurtarma süresi sayesinde düşük kayıplarla yüksek verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Not: Bu ürün artık kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
590µJ
Td (on/off) @ 25°C
14ns/192ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V