Görsel mevcut değil
IKD08N65ET6ARMA1
IKD08N65ET6ARMA1 Hakkında
IKD08N65ET6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 15A sürekli kolektör akımı (pulse'da 25A) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve güç kaynakları gibi orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 110µJ açılış ve 40µJ kapanış enerjisi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile +175°C aralığında çalışabilen komponent endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. Maksimum 47W güç seviyesinde çalıştırılabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
17 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
47 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
110µJ (on), 40µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/59ns
Test Condition
400V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V