Görsel mevcut değil
IKD06N65ET6ARMA1
IKD06N65ET6ARMA1 Hakkında
IKD06N65ET6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 9A DC ve 18A pulsed kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 31W güç dağıtabilir ve -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 1.9V VCE(on) düşüşü ve 13.7nC gate charge değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri on için 60µJ, off için 30µJ olarak belirtilmiştir. 30ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri ve DC/DC dönüştürücülerde yer almaktadır. Part status 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
13.7 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
31 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
60µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/35ns
Test Condition
400V, 3A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V