Görsel mevcut değil
IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1 Hakkında
IKD06N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/12A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. Maksimum gate charge değeri 48 nC olup, reverse recovery time 48 ns'dir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 6A akımda 2.5V'tur. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, 100W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Switching energy değerleri on/off için sırasıyla 90µJ/90µJ'dür. Düşük Td(on) ve Td(off) zamanları (7ns/106ns) hızlı anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
48 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
90µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
7ns/106ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V