Görsel mevcut değil
IKD06N60RFAATMA1
IKD06N60RFAATMA1 Hakkında
IKD06N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. Maksimum 12A collector akımı ve 100W güç yönetim kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, inverter, motor kontrol ve UPS sistemlerinde özellikle tercih edilmektedir. 2.5V sabit açılış gerilimi ile düşük konvejsiyon kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Reverse recovery time'ı 48ns olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
48 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
90µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/105ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V