Görsel mevcut değil
IKD06N60RC2ATMA1
IKD06N60RC2ATMA1 Hakkında
IKD06N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 11.7A sürekli collector akımı ve 18A darbe collector akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 2.3V Vce(on) doyma gerilimi ve 31nC kapı yükü ile düşük kayıplar sağlar. Switching energy değerleri 170µJ (açılış) ve 80µJ (kapanış) olup hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürme ve SMPS devreleri gibi uygulamalarda kullanılan standart giriş tipi IGBT bileşenidir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11.7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
31 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
51.7 W
Reverse Recovery Time (trr)
98 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
170µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/129ns
Test Condition
400V, 6A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V