Görsel mevcut değil
IKD06N60RATMA1
IKD06N60RATMA1 Hakkında
IKD06N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 12A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa tipi ile sunulmaktadır. 48 nC gate charge ve 2.1V max. Vce(on) değerleri sayesinde düşük ön kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 100W güç kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 68 ns reverse recovery time ve 110µJ on-switching enerji değerleri, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde verimli performans sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, ince film güç kaynakları ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
110µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V